日前，日本产业技术综合研究所与东京大学联合研制出了采用强电介质栅极电场效应晶体管（Ferroelectric gate field-effect transistor：FeFET）的NAND闪存存储单元。可擦写1亿次以上，写入电压为6V以下。
　　而此前的NAND闪存存储单元只能擦写1万次，且写入电压为20V，以往的NAND闪存只能微细化到30nm左右，而此次的存储单元技术还可以支持将来的20nm和10nm工艺技术。